MPF3N150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPF3N150  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPF3N150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF3N150 даташит

 ..1. Size:693K  cn minos
 mpf3n150.pdf pdf_icon

MPF3N150

 9.1. Size:619K  trinnotech
 tmp3n50z tmpf3n50z.pdf pdf_icon

MPF3N150

TMP3N50Z(G)/TMPF3N50Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 9.2. Size:608K  trinnotech
 tmp3n50az tmpf3n50az.pdf pdf_icon

MPF3N150

TMP3N50AZ(G)/TMPF3N50AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 9.3. Size:596K  trinnotech
 tmp3n80 tmpf3n80.pdf pdf_icon

MPF3N150

TMP3N80/TMPF3N80 TMP3N80G/TMPF3N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 3A Low gate charge RDS(ON) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP3N80 / TMPF3N80 TO-220 / TO-220F TMP3N80 / TMPF3N80 RoHS TMP3N80G / TMPF3N

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MDT2N60, MDT30N06L, MDT30N10, MDT30N10D, MDT40N06D, MDT40N10D, MDT50N06D, MPF2N60, 8205A, MPF40N25, MPF50N25, MPF5N65, MPF8N65, MPF9N20, MPG100N06P, MPG100N06S, MPG100N07P