MPF40N25 Todos los transistores

 

MPF40N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPF40N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 620 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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MPF40N25 Datasheet (PDF)

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MPF40N25

DescriptionMPF40N25, the silicon N-channel EnhancedMOSFETs, is obtained by advanced MOSFETtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor is suitabledevicefor SMPS, high speed switching andgeneralpurpose applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 250 VDSI 40 ADR 0.065 DS(ON).Typ

Otros transistores... MDT30N06L , MDT30N10 , MDT30N10D , MDT40N06D , MDT40N10D , MDT50N06D , MPF2N60 , MPF3N150 , STP75NF75 , MPF50N25 , MPF5N65 , MPF8N65 , MPF9N20 , MPG100N06P , MPG100N06S , MPG100N07P , MPG100N07S .

History: MPF5N65 | MPG100N07S | BRF12N65

 

 
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