MPF40N25 - аналоги и даташиты транзистора

 

MPF40N25 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPF40N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 620 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для MPF40N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF40N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:616K  cn minos
 mpf40n25.pdf pdf_icon

MPF40N25

DescriptionMPF40N25, the silicon N-channel EnhancedMOSFETs, is obtained by advanced MOSFETtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor is suitabledevicefor SMPS, high speed switching andgeneralpurpose applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 250 VDSI 40 ADR 0.065 DS(ON).Typ

Другие MOSFET... MDT30N06L , MDT30N10 , MDT30N10D , MDT40N06D , MDT40N10D , MDT50N06D , MPF2N60 , MPF3N150 , STP75NF75 , MPF50N25 , MPF5N65 , MPF8N65 , MPF9N20 , MPG100N06P , MPG100N06S , MPG100N07P , MPG100N07S .

History: MPG100N07S | MPF5N65 | BRF12N65

 

 
Back to Top

 


 
.