MPF50N25 Todos los transistores

 

MPF50N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPF50N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 620 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de MPF50N25 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MPF50N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  cn minos
 mpf50n25.pdf pdf_icon

MPF50N25

DescriptionMPF50N25, the silicon N-channel EnhancedMOSFETs, is obtained by advanced MOSFETtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor is suitabledevice for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 250 VDSI 50 ADR 0.055 DS(ON).T

Otros transistores... MDT30N10 , MDT30N10D , MDT40N06D , MDT40N10D , MDT50N06D , MPF2N60 , MPF3N150 , MPF40N25 , AON7408 , MPF5N65 , MPF8N65 , MPF9N20 , MPG100N06P , MPG100N06S , MPG100N07P , MPG100N07S , MPG100N08P .

 

 
Back to Top

 


 
.