MPF50N25 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPF50N25  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 620 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPF50N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF50N25 даташит

 ..1. Size:656K  cn minos
 mpf50n25.pdf pdf_icon

MPF50N25

Description MPF50N25, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 250 V DS I 50 A D R 0.055 DS(ON).T

Другие IGBT... MDT30N10, MDT30N10D, MDT40N06D, MDT40N10D, MDT50N06D, MPF2N60, MPF3N150, MPF40N25, IRFP250N, MPF5N65, MPF8N65, MPF9N20, MPG100N06P, MPG100N06S, MPG100N07P, MPG100N07S, MPG100N08P