MPF50N25 - аналоги и даташиты транзистора

 

MPF50N25 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPF50N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 620 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для MPF50N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF50N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  cn minos
 mpf50n25.pdf pdf_icon

MPF50N25

DescriptionMPF50N25, the silicon N-channel EnhancedMOSFETs, is obtained by advanced MOSFETtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor is suitabledevice for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 250 VDSI 50 ADR 0.055 DS(ON).T

Другие MOSFET... MDT30N10 , MDT30N10D , MDT40N06D , MDT40N10D , MDT50N06D , MPF2N60 , MPF3N150 , MPF40N25 , AON7408 , MPF5N65 , MPF8N65 , MPF9N20 , MPG100N06P , MPG100N06S , MPG100N07P , MPG100N07S , MPG100N08P .

History: MPF8N65

 

 
Back to Top

 


 
.