MPF8N65 Todos los transistores

 

MPF8N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPF8N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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MPF8N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  cn minos
 mpf8n65.pdf pdf_icon

MPF8N65

Silicon N-Channel MOSFETFeatures V =650V, I =8ADS D R = 1.4 (Max.) @ V = 10V, I = 4ADS(ON) GS D Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS and Halogen-Free CompliantApplication Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)TO-220Absolute Maximum Ratings T =25

 8.1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

MPF8N65

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 8.2. Size:999K  jiejie micro
 jmpf8n60bj.pdf pdf_icon

MPF8N65

JMPF8N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 8A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:605K  trinnotech
 tmp8n50z tmpf8n50z.pdf pdf_icon

MPF8N65

TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

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