MPF8N65 - аналоги и даташиты транзистора

 

MPF8N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPF8N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для MPF8N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF8N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  cn minos
 mpf8n65.pdf pdf_icon

MPF8N65

Silicon N-Channel MOSFETFeatures V =650V, I =8ADS D R = 1.4 (Max.) @ V = 10V, I = 4ADS(ON) GS D Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS and Halogen-Free CompliantApplication Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)TO-220Absolute Maximum Ratings T =25

 8.1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

MPF8N65

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 8.2. Size:999K  jiejie micro
 jmpf8n60bj.pdf pdf_icon

MPF8N65

JMPF8N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 8A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:605K  trinnotech
 tmp8n50z tmpf8n50z.pdf pdf_icon

MPF8N65

TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MDT40N06D , MDT40N10D , MDT50N06D , MPF2N60 , MPF3N150 , MPF40N25 , MPF50N25 , MPF5N65 , K3569 , MPF9N20 , MPG100N06P , MPG100N06S , MPG100N07P , MPG100N07S , MPG100N08P , , .

 

 
Back to Top

 


 
.