MPF8N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPF8N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPF8N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF8N65 даташит

 ..1. Size:715K  cn minos
 mpf8n65.pdf pdf_icon

MPF8N65

Silicon N-Channel MOSFET Features V =650V, I =8A DS D R = 1.4 (Max.) @ V = 10V, I = 4A DS(ON) GS D Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS and Halogen-Free Compliant Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) TO-220 Absolute Maximum Ratings T =25

 8.1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

MPF8N65

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 8.2. Size:999K  jiejie micro
 jmpf8n60bj.pdf pdf_icon

MPF8N65

JMPF8N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 8A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:605K  trinnotech
 tmp8n50z tmpf8n50z.pdf pdf_icon

MPF8N65

TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MDT40N06D, MDT40N10D, MDT50N06D, MPF2N60, MPF3N150, MPF40N25, MPF50N25, MPF5N65, IRF9540, MPF9N20, MPG100N06P, MPG100N06S, MPG100N07P, MPG100N07S, MPG100N08P, MDT5N65, MDT60N06D