MDT70N03 Todos los transistores

 

MDT70N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT70N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT70N03 Datasheet (PDF)

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MDT70N03

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MDT70N03 uses advanced trench technology and designto provide excellent R with low gate charge. It can be usedDS(ON)in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V =30V,I =70ADS DR

Otros transistores... MPG100N06S , MPG100N07P , MPG100N07S , MPG100N08P , MDT5N65 , MDT60N06D , MDT60N10D , MDT60NF06D , AON7410 , MDT7N65 , MDT9N20 , MLS60R380D , MLS65R380D , MLS65R580D , MP11P20 , MP150N08P , MP180N06P .

History: CM84N06 | MDT7N65 | MDT9N20

 

 
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