MDT70N03 - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT70N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT70N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT70N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT70N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:515K  cn minos
 mdt70n03.pdf pdf_icon

MDT70N03

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MDT70N03 uses advanced trench technology and designto provide excellent R with low gate charge. It can be usedDS(ON)in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V =30V,I =70ADS DR

Другие MOSFET... MPG100N06S , MPG100N07P , MPG100N07S , MPG100N08P , MDT5N65 , MDT60N06D , MDT60N10D , MDT60NF06D , AON7410 , MDT7N65 , MDT9N20 , MLS60R380D , MLS65R380D , MLS65R580D , MP11P20 , MP150N08P , MP180N06P .

History: HUF75617D3 | MDT60N06D

 

 
Back to Top

 


 
.