MDT70N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDT70N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDT70N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT70N03 даташит

 ..1. Size:515K  cn minos
 mdt70n03.pdf pdf_icon

MDT70N03

Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MDT70N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be used DS(ON) in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V =30V,I =70A DS D R

Другие IGBT... MPG100N06S, MPG100N07P, MPG100N07S, MPG100N08P, MDT5N65, MDT60N06D, MDT60N10D, MDT60NF06D, 4435, MDT7N65, MDT9N20, MLS60R380D, MLS65R380D, MLS65R580D, MP11P20, MP150N08P, MP180N06P