MDT7N65 Todos los transistores

 

MDT7N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT7N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT7N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:548K  cn minos
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MDT7N65

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMDT7N65, This Power MOSFET is produced using Wisdomsadvanced planar stripe, DMOS technology. This latest technologyhas been especially designed to minimize on-state resistance,have a high rugged avalanche characteristics. These devices arewell suited for high efficiency switch mode power supplies, activepower factor correction, electroni

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History: MDT9N20

 

 
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