MDT7N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDT7N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDT7N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT7N65 даташит

 ..1. Size:548K  cn minos
 mdt7n65.pdf pdf_icon

MDT7N65

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MDT7N65, This Power MOSFET is produced using Wisdom s advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies, active power factor correction, electroni

Другие IGBT... MPG100N07P, MPG100N07S, MPG100N08P, MDT5N65, MDT60N06D, MDT60N10D, MDT60NF06D, MDT70N03, SPP20N60C3, MDT9N20, MLS60R380D, MLS65R380D, MLS65R580D, MP11P20, MP150N08P, MP180N06P, MP18N20