MDT7N65 - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT7N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT7N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT7N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT7N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:548K  cn minos
 mdt7n65.pdf pdf_icon

MDT7N65

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMDT7N65, This Power MOSFET is produced using Wisdomsadvanced planar stripe, DMOS technology. This latest technologyhas been especially designed to minimize on-state resistance,have a high rugged avalanche characteristics. These devices arewell suited for high efficiency switch mode power supplies, activepower factor correction, electroni

Другие MOSFET... MPG100N07P , MPG100N07S , MPG100N08P , MDT5N65 , MDT60N06D , MDT60N10D , MDT60NF06D , MDT70N03 , IRF9540N , MDT9N20 , MLS60R380D , MLS65R380D , MLS65R580D , MP11P20 , MP150N08P , MP180N06P , MP18N20 .

History: MDT60N06D | HUF75617D3

 

 
Back to Top

 


 
.