MDT9N20 Todos los transistores

 

MDT9N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT9N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT9N20 Datasheet (PDF)

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MDT9N20

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMP9N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, isobtained by advanced MOSFET technology which reduce theconduction loss, improve switching performance and enhancethe avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS,high speed switching and general purpose applications.Schematic diagramKEY CHARACTERISTICS V =200V,I =9A R

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MDT9N20

DescriptionMDT9N20 the silicon N-channel EnhancedMOSFETs, is obtained by advanced MOSFETtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor is suitabledevice for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 200 VDSI 9 ADR 0.27 DS(ON).Typ

Otros transistores... MPG100N07S , MPG100N08P , MDT5N65 , MDT60N06D , MDT60N10D , MDT60NF06D , MDT70N03 , MDT7N65 , SPP20N60C3 , MLS60R380D , MLS65R380D , MLS65R580D , MP11P20 , MP150N08P , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P .

 

 
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