MDT9N20 - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT9N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT9N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT9N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT9N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  cn minos
 mp9n20 mdt9n20.pdf pdf_icon

MDT9N20

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMP9N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, isobtained by advanced MOSFET technology which reduce theconduction loss, improve switching performance and enhancethe avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS,high speed switching and general purpose applications.Schematic diagramKEY CHARACTERISTICS V =200V,I =9A R

 ..2. Size:646K  cn minos
 mp9n20 mpf9n20 mdp9n20 mdt9n20.pdf pdf_icon

MDT9N20

DescriptionMDT9N20 the silicon N-channel EnhancedMOSFETs, is obtained by advanced MOSFETtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor is suitabledevice for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 200 VDSI 9 ADR 0.27 DS(ON).Typ

Другие MOSFET... MPG100N07S , MPG100N08P , MDT5N65 , MDT60N06D , MDT60N10D , MDT60NF06D , MDT70N03 , MDT7N65 , SPP20N60C3 , MLS60R380D , MLS65R380D , MLS65R580D , MP11P20 , MP150N08P , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P .

 

 
Back to Top

 


 
.