MDT9N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDT9N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDT9N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT9N20 даташит

 ..1. Size:792K  cn minos
 mp9n20 mdt9n20.pdf pdf_icon

MDT9N20

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MP9N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. Schematic diagram KEY CHARACTERISTICS V =200V,I =9A R

 ..2. Size:646K  cn minos
 mp9n20 mpf9n20 mdp9n20 mdt9n20.pdf pdf_icon

MDT9N20

Description MDT9N20 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 200 V DS I 9 A D R 0.27 DS(ON).Typ

Другие IGBT... MPG100N07S, MPG100N08P, MDT5N65, MDT60N06D, MDT60N10D, MDT60NF06D, MDT70N03, MDT7N65, SKD502T, MLS60R380D, MLS65R380D, MLS65R580D, MP11P20, MP150N08P, MP180N06P, MP18N20, MP20N40P