MLS60R380D Todos los transistores

 

MLS60R380D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MLS60R380D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MLS60R380D Datasheet (PDF)

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MLS60R380D

DescriptionMLS60R380D, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs,is obtained by advanced Super Junction technology whichreduce the conduction loss, improve switching performance.The transistor is suitable device for SMPS,high speedswitching and general purpose applications.KEY CHARACTERISTICS V =600V,I =11A R

Otros transistores... MPG100N08P , MDT5N65 , MDT60N06D , MDT60N10D , MDT60NF06D , MDT70N03 , MDT7N65 , MDT9N20 , IRFB3607 , MLS65R380D , MLS65R580D , MP11P20 , MP150N08P , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P , MP3205B .

History: NCEP60T20 | IPW65R037C6 | IPW65R019C7

 

 
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