MLS60R380D - аналоги и даташиты транзистора

 

MLS60R380D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MLS60R380D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MLS60R380D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MLS60R380D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:653K  cn minos
 mls60r380d.pdf pdf_icon

MLS60R380D

DescriptionMLS60R380D, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs,is obtained by advanced Super Junction technology whichreduce the conduction loss, improve switching performance.The transistor is suitable device for SMPS,high speedswitching and general purpose applications.KEY CHARACTERISTICS V =600V,I =11A R

Другие MOSFET... MPG100N08P , MDT5N65 , MDT60N06D , MDT60N10D , MDT60NF06D , MDT70N03 , MDT7N65 , MDT9N20 , IRFB3607 , MLS65R380D , MLS65R580D , MP11P20 , MP150N08P , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P , MP3205B .

History: NCEP60T20 | IPW65R037C6 | IPW65R019C7

 

 
Back to Top

 


 
.