MLS65R580D Todos los transistores

 

MLS65R580D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MLS65R580D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MLS65R580D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  cn minos
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MLS65R580D

DescriptionMLS65R580D, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs,is obtained by advanced Super Junction technology whichreduce the conduction loss, improve switching performance.The transistor is suitable device for SMPS,high speedswitching and general purpose applications.KEY CHARACTERISTICS V =650V,I =8A R

 8.1. Size:718K  cn minos
 mls65r380d.pdf pdf_icon

MLS65R580D

DescriptionMLS65R380D, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS,high speed switching and general purpose applications.KEY CHARACTERISTICS V =650V,I =11A R

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