MLS65R580D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MLS65R580D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MLS65R580D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MLS65R580D даташит

 ..1. Size:538K  cn minos
 mls65r580d.pdf pdf_icon

MLS65R580D

Description MLS65R580D, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS,high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS V =650V,I =8A R

 8.1. Size:718K  cn minos
 mls65r380d.pdf pdf_icon

MLS65R580D

Description MLS65R380D, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS,high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS V =650V,I =11A R

Другие IGBT... MDT60N06D, MDT60N10D, MDT60NF06D, MDT70N03, MDT7N65, MDT9N20, MLS60R380D, MLS65R380D, AON7410, MP11P20, MP150N08P, MP180N06P, MP18N20, MP20N40P, MP3205B, MP40N20, MP50N06