MLS65R580D - аналоги и даташиты транзистора

 

MLS65R580D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MLS65R580D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MLS65R580D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MLS65R580D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  cn minos
 mls65r580d.pdf pdf_icon

MLS65R580D

DescriptionMLS65R580D, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs,is obtained by advanced Super Junction technology whichreduce the conduction loss, improve switching performance.The transistor is suitable device for SMPS,high speedswitching and general purpose applications.KEY CHARACTERISTICS V =650V,I =8A R

 8.1. Size:718K  cn minos
 mls65r380d.pdf pdf_icon

MLS65R580D

DescriptionMLS65R380D, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS,high speed switching and general purpose applications.KEY CHARACTERISTICS V =650V,I =11A R

Другие MOSFET... MDT60N06D , MDT60N10D , MDT60NF06D , MDT70N03 , MDT7N65 , MDT9N20 , MLS60R380D , MLS65R380D , RFP50N06 , MP11P20 , MP150N08P , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P , , , .

History: JMTK085P04A | JMSL0608PU

 

 
Back to Top

 


 
.