MP11P20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MP11P20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MP11P20
MP11P20 Datasheet (PDF)
mp11p20.pdf
-200V P-Channel MOSFET Description MP11P20, the silicon P-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. Schematic diagram FEATURES Fast switching 100% avalanc
Otros transistores... MDT60N10D , MDT60NF06D , MDT70N03 , MDT7N65 , MDT9N20 , MLS60R380D , MLS65R380D , MLS65R580D , 12N60 , MP150N08P , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P , MP3205B , MP40N20 , MP50N06 , MP5N65 .
History: 2SJ326
History: 2SJ326
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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