MP11P20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP11P20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MP11P20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP11P20 даташит

 ..1. Size:540K  cn minos
 mp11p20.pdf pdf_icon

MP11P20

-200V P-Channel MOSFET Description MP11P20, the silicon P-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. Schematic diagram FEATURES Fast switching 100% avalanc

Другие IGBT... MDT60N10D, MDT60NF06D, MDT70N03, MDT7N65, MDT9N20, MLS60R380D, MLS65R380D, MLS65R580D, 12N60, MP150N08P, MP180N06P, MP18N20, MP20N40P, MP3205B, MP40N20, MP50N06, MP5N65