MP11P20 - аналоги и даташиты транзистора

 

MP11P20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MP11P20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MP11P20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP11P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  cn minos
 mp11p20.pdf pdf_icon

MP11P20

-200V P-Channel MOSFETDescriptionMP11P20, the silicon P-channel EnhancedMOSFETs, is obtained by advanced MOSFETtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor is suitabledevice for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.Schematic diagramFEATURES Fast switching 100% avalanc

Другие MOSFET... MDT60N10D , MDT60NF06D , MDT70N03 , MDT7N65 , MDT9N20 , MLS60R380D , MLS65R380D , MLS65R580D , 4N60 , MP150N08P , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P , , , , .

History: SSD80N03 | DH072N07F

 

 
Back to Top

 


 
.