MP11P20 - аналоги и даташиты транзистора

 

MP11P20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MP11P20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MP11P20

 

MP11P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  cn minos
 mp11p20.pdf pdf_icon

MP11P20

-200V P-Channel MOSFET Description MP11P20, the silicon P-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. Schematic diagram FEATURES Fast switching 100% avalanc

Другие MOSFET... MDT60N10D , MDT60NF06D , MDT70N03 , MDT7N65 , MDT9N20 , MLS60R380D , MLS65R380D , MLS65R580D , 12N60 , MP150N08P , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P , MP3205B , MP40N20 , MP50N06 , MP5N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.