MP150N08P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MP150N08P 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 259 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Encapsulados: TO220
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de MP150N08P MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
MP150N08P datasheet
mp150n08p.pdf
80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MP150N08 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used ina wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Schematic diagram VDS = 80V,ID = 150A RDS(ON)
Otros transistores... MDT60NF06D, MDT70N03, MDT7N65, MDT9N20, MLS60R380D, MLS65R380D, MLS65R580D, MP11P20, 5N65, MP180N06P, MP18N20, MP20N40P, MP3205B, MP40N20, MP50N06, MP5N65, MP70N10
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073
