MP150N08P - аналоги и даташиты транзистора

 

MP150N08P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MP150N08P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 259 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MP150N08P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP150N08P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:591K  cn minos
 mp150n08p.pdf pdf_icon

MP150N08P

80V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MP150N08 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge. It can be used ina widevariety of applications.KEY CHARACTERISTICSSchematic diagram VDS = 80V,ID = 150ARDS(ON)

Другие MOSFET... MDT60NF06D , MDT70N03 , MDT7N65 , MDT9N20 , MLS60R380D , MLS65R380D , MLS65R580D , MP11P20 , 4435 , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P , , , , , .

History: NCE4060I | MP18N20 | SIHFS9N60A

 

 
Back to Top

 


 
.