MP150N08P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MP150N08P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 259 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO220
MP150N08P Datasheet (PDF)
mp150n08p.pdf
80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MP150N08 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used ina wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Schematic diagram VDS = 80V,ID = 150A RDS(ON)
Другие MOSFET... MDT60NF06D , MDT70N03 , MDT7N65 , MDT9N20 , MLS60R380D , MLS65R380D , MLS65R580D , MP11P20 , 5N65 , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P , MP3205B , MP40N20 , MP50N06 , MP5N65 , MP70N10 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073


