MP150N08P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP150N08P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 259 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MP150N08P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP150N08P даташит

 ..1. Size:591K  cn minos
 mp150n08p.pdf pdf_icon

MP150N08P

80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MP150N08 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used ina wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Schematic diagram VDS = 80V,ID = 150A RDS(ON)

Другие IGBT... MDT60NF06D, MDT70N03, MDT7N65, MDT9N20, MLS60R380D, MLS65R380D, MLS65R580D, MP11P20, 5N65, MP180N06P, MP18N20, MP20N40P, MP3205B, MP40N20, MP50N06, MP5N65, MP70N10