MP9N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MP9N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MP9N20 MOSFET
MP9N20 Datasheet (PDF)
mp9n20 mdt9n20.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMP9N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, isobtained by advanced MOSFET technology which reduce theconduction loss, improve switching performance and enhancethe avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS,high speed switching and general purpose applications.Schematic diagramKEY CHARACTERISTICS V =200V,I =9A R
mp9n20 mpf9n20 mdp9n20 mdt9n20.pdf
DescriptionMDT9N20 the silicon N-channel EnhancedMOSFETs, is obtained by advanced MOSFETtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor is suitabledevice for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 200 VDSI 9 ADR 0.27 DS(ON).Typ
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Liste
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