MP9N20 - аналоги и даташиты транзистора

 

MP9N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MP9N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MP9N20

 

MP9N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  cn minos
 mp9n20 mdt9n20.pdf pdf_icon

MP9N20

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MP9N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. Schematic diagram KEY CHARACTERISTICS V =200V,I =9A R

 ..2. Size:646K  cn minos
 mp9n20 mpf9n20 mdp9n20 mdt9n20.pdf pdf_icon

MP9N20

Description MDT9N20 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 200 V DS I 9 A D R 0.27 DS(ON).Typ

Другие MOSFET... MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P , MP3205B , MP40N20 , MP50N06 , MP5N65 , MP70N10 , IRFP450 , MPF12N65 , MPF13N50 , MPF18N20 , MPF20N50 , AP15N04S , AP3416AI , AP4N06SI , AP50N03S .

History: MP50N06 | MP40N20 | MP5N65

 

 
Back to Top

 


 
.