MPF18N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPF18N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MPF18N20 MOSFET
MPF18N20 Datasheet (PDF)
mp18n20 mpf18n20 mdp18n20 mdt18n20.pdf
DescriptionMP18N20, the silicon N-channel EnhancedMOSFETs, is obtained by advanced MOSFETtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor is suitabledevice for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 200 VDSI 18 ADR 0.13 DS(ON).Typ
tmp18n20z tmpf18n20z.pdf
TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 18A
jmpf18n50bj.pdf
JMPF18N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 18A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... MP3205B , MP40N20 , MP50N06 , MP5N65 , MP70N10 , MP9N20 , MPF12N65 , MPF13N50 , 18N50 , MPF20N50 , , , , , , , .
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