MPF18N20 Todos los transistores

 

MPF18N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPF18N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET MPF18N20

 

MPF18N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  cn minos
 mp18n20 mpf18n20 mdp18n20 mdt18n20.pdf pdf_icon

MPF18N20

Description MP18N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 200 V DS I 18 A D R 0.13 DS(ON).Typ

 0.1. Size:591K  trinnotech
 tmp18n20z tmpf18n20z.pdf pdf_icon

MPF18N20

TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 18A

 8.1. Size:1002K  jiejie micro
 jmpf18n50bj.pdf pdf_icon

MPF18N20

JMPF18N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 18A Load Switch RDS(ON)

Otros transistores... MP3205B , MP40N20 , MP50N06 , MP5N65 , MP70N10 , MP9N20 , MPF12N65 , MPF13N50 , BS170 , MPF20N50 , AP15N04S , AP3416AI , AP4N06SI , AP50N03S , AP50N06Y , AP60N02BD , AP130N20MP .

 

 
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