MPF18N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPF18N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPF18N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF18N20 даташит

 ..1. Size:618K  cn minos
 mp18n20 mpf18n20 mdp18n20 mdt18n20.pdf pdf_icon

MPF18N20

Description MP18N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 200 V DS I 18 A D R 0.13 DS(ON).Typ

 0.1. Size:591K  trinnotech
 tmp18n20z tmpf18n20z.pdf pdf_icon

MPF18N20

TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 18A

 8.1. Size:1002K  jiejie micro
 jmpf18n50bj.pdf pdf_icon

MPF18N20

JMPF18N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 18A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... MP3205B, MP40N20, MP50N06, MP5N65, MP70N10, MP9N20, MPF12N65, MPF13N50, BS170, MPF20N50, AP15N04S, AP3416AI, AP4N06SI, AP50N03S, AP50N06Y, AP60N02BD, AP130N20MP