MPF20N50 Todos los transistores

 

MPF20N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPF20N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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MPF20N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  cn minos
 mpf20n50.pdf pdf_icon

MPF20N50

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMPF20N50, the silicon N-channel Enhanced MOSFETS, isobtained by advanced MOSFET technology which reduce theconduction loss, improve switching performance and enhancethe avalanche energy. The transistor is suitable device forSynchronous Rectification, inverter systems ,high speedswitching and general purpose applications.KEY CHARACTERISTIC

 0.1. Size:409K  trinnotech
 tmp20n50 tmpf20n50.pdf pdf_icon

MPF20N50

TMP20N50/TMPF20N50 TMP20N50G/TMPF20N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 18A Low gate charge RDS(on) = 0.3 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP20N50 / TMPF20N50 TO-220 / TO-220F TMP20N50 / TMPF20N50 RoHS TMP20N50

 0.2. Size:621K  trinnotech
 tmp20n50a tmpf20n50a.pdf pdf_icon

MPF20N50

TMP20N50A(G)/TMPF20N50A(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 18A

 8.1. Size:1002K  jiejie micro
 jmpf20n60bj.pdf pdf_icon

MPF20N50

JMPF20N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 20A Load SwitchRDS(ON)

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