AP50N03S Todos los transistores

 

AP50N03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP50N03S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 267 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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AP50N03S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1736K  cn apm
 ap50n03s.pdf pdf_icon

AP50N03S

AP50N03S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP50N03S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =50 A DS DR

 8.1. Size:1600K  cn apm
 ap50n06y.pdf pdf_icon

AP50N03S

AP50N06Y 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP50N06Y uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =60V I =50A DS DR

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History: MPF13N50 | AP50N06Y

 

 
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