AP50N03S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP50N03S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP50N03S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP50N03S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50N03S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1736K  cn apm
 ap50n03s.pdf pdf_icon

AP50N03S

AP50N03S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP50N03S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =50 A DS DR

 8.1. Size:1600K  cn apm
 ap50n06y.pdf pdf_icon

AP50N03S

AP50N06Y 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP50N06Y uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =60V I =50A DS DR

Другие MOSFET... MP9N20 , MPF12N65 , MPF13N50 , MPF18N20 , MPF20N50 , AP15N04S , AP3416AI , AP4N06SI , 75N75 , AP50N06Y , AP60N02BD , AP130N20MP , AP3404MI , AP50N06DF , AP6G04S , AP70N03DF , AP80N08D .

History: 2SK3287

 

 
Back to Top

 


 
.