AP6G04S Todos los transistores

 

AP6G04S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6G04S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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AP6G04S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3407K  cn apm
 ap6g04s.pdf pdf_icon

AP6G04S

AP6G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =6A DS DR

Otros transistores... AP3416AI , AP4N06SI , AP50N03S , AP50N06Y , AP60N02BD , AP130N20MP , AP3404MI , AP50N06DF , IRF530 , AP70N03DF , AP80N08D , AP80N08NF , AP80P01NF , AP8P10S , AP90N06D , APG12N10D , .

 

 
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