AP6G04S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP6G04S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP6G04S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP6G04S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6G04S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3407K  cn apm
 ap6g04s.pdf pdf_icon

AP6G04S

AP6G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =6A DS DR

Другие MOSFET... AP3416AI , AP4N06SI , AP50N03S , AP50N06Y , AP60N02BD , AP130N20MP , AP3404MI , AP50N06DF , IRF530 , AP70N03DF , AP80N08D , AP80N08NF , AP80P01NF , AP8P10S , AP90N06D , APG12N10D , .

 

 
Back to Top

 


 
.