AP8P10S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP8P10S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: SOP8

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AP8P10S datasheet

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AP8P10S

AP8P10S -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8P10S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-8A DS D R

Otros transistores... AP130N20MP, AP3404MI, AP50N06DF, AP6G04S, AP70N03DF, AP80N08D, AP80N08NF, AP80P01NF, 2N60, AP90N06D, APG12N10D, AP10G04DF, AP10H03DF, AP10H03S, AP15P04S, AP3400MI, AP34N20P