AP8P10S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP8P10S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP8P10S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8P10S даташит

 ..1. Size:3679K  cn apm
 ap8p10s.pdf pdf_icon

AP8P10S

AP8P10S -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8P10S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-8A DS D R

Другие IGBT... AP130N20MP, AP3404MI, AP50N06DF, AP6G04S, AP70N03DF, AP80N08D, AP80N08NF, AP80P01NF, 2N60, AP90N06D, APG12N10D, AP10G04DF, AP10H03DF, AP10H03S, AP15P04S, AP3400MI, AP34N20P