AP8P10S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP8P10S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP8P10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP8P10S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8P10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3679K  cn apm
 ap8p10s.pdf pdf_icon

AP8P10S

AP8P10S -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8P10S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-8A DS DR

Другие MOSFET... AP130N20MP , AP3404MI , AP50N06DF , AP6G04S , AP70N03DF , AP80N08D , AP80N08NF , AP80P01NF , 7N60 , AP90N06D , APG12N10D , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.