AP10G04DF Todos los transistores

 

AP10G04DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP10G04DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.8(7.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2(15.7) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76(134) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026(0.045) Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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AP10G04DF Datasheet (PDF)

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AP10G04DF

AP10G04DF 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP10G04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =9.8A DS DR

Otros transistores... AP6G04S , AP70N03DF , AP80N08D , AP80N08NF , AP80P01NF , AP8P10S , AP90N06D , APG12N10D , K2611 , AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D .

History: AP10H03S | AP80N08D | TF202THC | JMSH0401PGQ | AP65N06D | AP8P06S | AP80N06D

 

 
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