AP10G04DF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP10G04DF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP10G04DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8(7.5) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.2(15.7) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76(134) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026(0.045) Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для AP10G04DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10G04DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2666K  cn apm
 ap10g04df.pdf pdf_icon

AP10G04DF

AP10G04DF 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP10G04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =9.8A DS DR

Другие MOSFET... AP6G04S , AP70N03DF , AP80N08D , AP80N08NF , AP80P01NF , AP8P10S , AP90N06D , APG12N10D , K2611 , AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D .

History: AP10H03S | IRF143 | AP3400MI

 

 
Back to Top

 


 
.