AP15P04S Todos los transistores

 

AP15P04S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP15P04S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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AP15P04S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2066K  cn apm
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AP15P04S

AP15P04S -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-15.8A DS D R

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AP15P04S

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AP15P04S

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AP15P04S

AP15P15GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -140VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 180mD Fast Switching Characteristic ID -2.7AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination

Otros transistores... AP80N08NF , AP80P01NF , AP8P10S , AP90N06D , APG12N10D , AP10G04DF , AP10H03DF , AP10H03S , IRF1405 , AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D , AP85N03NF , AP8G04S , AP10N04S .

 

 
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