AP15P04S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP15P04S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP15P04S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для AP15P04S

 

AP15P04S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2066K  cn apm
 ap15p04s.pdf pdf_icon

AP15P04S

AP15P04S -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-15.8A DS D R

 7.1. Size:1538K  cn apm
 ap15p04d.pdf pdf_icon

AP15P04S

AP15P04D -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-15A DS D R

 8.1. Size:1544K  1
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P04S

 8.2. Size:1544K  allpower
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P04S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP80N08NF , AP80P01NF , AP8P10S , AP90N06D , APG12N10D , AP10G04DF , AP10H03DF , AP10H03S , STP65NF06 , AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D , AP85N03NF , AP8G04S , AP10N04S .

History: HM7N80 | HM7N60I | 2SK953 | HM85N02K | HM8N20KA | 4N60KL-TF2-T | 3N325A

 

 
Back to Top

 


 
.