AP15P04S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP15P04S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP15P04S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP15P04S даташит

 ..1. Size:2066K  cn apm
 ap15p04s.pdf pdf_icon

AP15P04S

AP15P04S -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-15.8A DS D R

 7.1. Size:1538K  cn apm
 ap15p04d.pdf pdf_icon

AP15P04S

AP15P04D -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-15A DS D R

 8.1. Size:1544K  1
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P04S

 8.2. Size:1544K  allpower
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P04S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP80N08NF, AP80P01NF, AP8P10S, AP90N06D, APG12N10D, AP10G04DF, AP10H03DF, AP10H03S, STP65NF06, AP3400MI, AP34N20P, AP50P02DF, AP70H06NF, AP80N06D, AP85N03NF, AP8G04S, AP10N04S