AP34N20P Todos los transistores

 

AP34N20P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP34N20P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 251 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 362 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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AP34N20P Datasheet (PDF)

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AP34N20P

AP34N20P 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP34N20P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Gen

Otros transistores... AP8P10S , AP90N06D , APG12N10D , AP10G04DF , AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , IRF830 , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D , AP85N03NF , AP8G04S , AP10N04S , AP15G04NF , AP220N06MP .

History: CSB4710 | AP2326GN | IRF7807TRPBF-1 | JMSH1506AE7 | TMP8N80

 

 
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