AP34N20P - аналоги и даташиты транзистора

 

AP34N20P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP34N20P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 251 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 362 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP34N20P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP34N20P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2110K  cn apm
 ap34n20p.pdf pdf_icon

AP34N20P

AP34N20P 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP34N20P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Gen

Другие MOSFET... AP8P10S , AP90N06D , APG12N10D , AP10G04DF , AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , IRF830 , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D , AP85N03NF , AP8G04S , AP10N04S , AP15G04NF , AP220N06MP .

History: JMSH1506AE7

 

 
Back to Top

 


 
.