AP34N20P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP34N20P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 251 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 362 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP34N20P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP34N20P даташит

 ..1. Size:2110K  cn apm
 ap34n20p.pdf pdf_icon

AP34N20P

AP34N20P 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP34N20P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Gen

Другие IGBT... AP8P10S, AP90N06D, APG12N10D, AP10G04DF, AP10H03DF, AP10H03S, AP15P04S, AP3400MI, 7N60, AP50P02DF, AP70H06NF, AP80N06D, AP85N03NF, AP8G04S, AP10N04S, AP15G04NF, AP220N06MP