AP70H06NF Todos los transistores

 

AP70H06NF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP70H06NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 199.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP70H06NF

 

Principales características: AP70H06NF

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AP70H06NF

AP70H06NF 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP70H06NF uses advanced APM-SGT technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =70A DS D R

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