AP70H06NF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP70H06NF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 199.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AP70H06NF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP70H06NF datasheet

 ..1. Size:1821K  cn apm
 ap70h06nf.pdf pdf_icon

AP70H06NF

AP70H06NF 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP70H06NF uses advanced APM-SGT technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =70A DS D R

Otros transistores... APG12N10D, AP10G04DF, AP10H03DF, AP10H03S, AP15P04S, AP3400MI, AP34N20P, AP50P02DF, IRFZ46N, AP80N06D, AP85N03NF, AP8G04S, AP10N04S, AP15G04NF, AP220N06MP, AP2301AI, AP2302AI