AP70H06NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP70H06NF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 199.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP70H06NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP70H06NF даташит

 ..1. Size:1821K  cn apm
 ap70h06nf.pdf pdf_icon

AP70H06NF

AP70H06NF 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP70H06NF uses advanced APM-SGT technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =70A DS D R

Другие IGBT... APG12N10D, AP10G04DF, AP10H03DF, AP10H03S, AP15P04S, AP3400MI, AP34N20P, AP50P02DF, IRFZ46N, AP80N06D, AP85N03NF, AP8G04S, AP10N04S, AP15G04NF, AP220N06MP, AP2301AI, AP2302AI