AP70H06NF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP70H06NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP70H06NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 199.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP70H06NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP70H06NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1821K  cn apm
 ap70h06nf.pdf pdf_icon

AP70H06NF

AP70H06NF 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP70H06NF uses advanced APM-SGTtechnology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =70A DS DR

Другие MOSFET... APG12N10D , AP10G04DF , AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , RU7088R , AP80N06D , AP85N03NF , AP8G04S , AP10N04S , AP15G04NF , AP220N06MP , AP2301AI , AP2302AI .

 

 
Back to Top

 


 
.