AP80N06D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP80N06D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 199.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AP80N06D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP80N06D datasheet

 ..1. Size:2631K  cn apm
 ap80n06d.pdf pdf_icon

AP80N06D

AP80N06D 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 7.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =80 A DS D R

 0.1. Size:575K  allpower
 ap80n06dh.pdf pdf_icon

AP80N06D

 7.1. Size:583K  allpower
 ap80n06h.pdf pdf_icon

AP80N06D

 7.2. Size:599K  allpower
 ap80n06t.pdf pdf_icon

AP80N06D

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AP10G04DF, AP10H03DF, AP10H03S, AP15P04S, AP3400MI, AP34N20P, AP50P02DF, AP70H06NF, IRF830, AP85N03NF, AP8G04S, AP10N04S, AP15G04NF, AP220N06MP, AP2301AI, AP2302AI, AP3P06MI