AP80N06D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP80N06D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 199.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP80N06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80N06D даташит

 ..1. Size:2631K  cn apm
 ap80n06d.pdf pdf_icon

AP80N06D

AP80N06D 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 7.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =80 A DS D R

 0.1. Size:575K  allpower
 ap80n06dh.pdf pdf_icon

AP80N06D

 7.1. Size:583K  allpower
 ap80n06h.pdf pdf_icon

AP80N06D

 7.2. Size:599K  allpower
 ap80n06t.pdf pdf_icon

AP80N06D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP10G04DF, AP10H03DF, AP10H03S, AP15P04S, AP3400MI, AP34N20P, AP50P02DF, AP70H06NF, IRF830, AP85N03NF, AP8G04S, AP10N04S, AP15G04NF, AP220N06MP, AP2301AI, AP2302AI, AP3P06MI