AP80N06D - аналоги и даташиты транзистора

 

AP80N06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP80N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 199.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для AP80N06D

 

AP80N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2631K  cn apm
 ap80n06d.pdf pdf_icon

AP80N06D

AP80N06D 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 7.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =80 A DS D R

 0.1. Size:575K  allpower
 ap80n06dh.pdf pdf_icon

AP80N06D

 7.1. Size:583K  allpower
 ap80n06h.pdf pdf_icon

AP80N06D

 7.2. Size:599K  allpower
 ap80n06t.pdf pdf_icon

AP80N06D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP10G04DF , AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , IRF830 , AP85N03NF , AP8G04S , AP10N04S , AP15G04NF , AP220N06MP , AP2301AI , AP2302AI , AP3P06MI .

History: H12N65P | AP0904GP-HF | AP50P02DF | AP2302AI | TMAN10N80 | TMAN15N50

 

 
Back to Top

 


 
.