AP85N03NF Todos los transistores

 

AP85N03NF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP85N03NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de AP85N03NF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP85N03NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2002K  cn apm
 ap85n03nf.pdf pdf_icon

AP85N03NF

AP85N03NF 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP85N03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =85 A DS DR

Otros transistores... AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D , EMB04N03H , AP8G04S , , , , , , , .

History: AP8G04S

 

 
Back to Top

 


 
.