AP85N03NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP85N03NF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для AP85N03NF
AP85N03NF Datasheet (PDF)
ap85n03nf.pdf
AP85N03NF 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP85N03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =85 A DS DR
Другие MOSFET... AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D , EMB04N03H , AP8G04S , AP10N04S , AP15G04NF , AP220N06MP , AP2301AI , AP2302AI , AP3P06MI , AP4606B .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP60P02D | AP60N06F | AP60N04NF | AP60N04DF | AP60N04D | AP60N03Y | AP60N03NF | AP60N03DF | AP60N03D | AP60N02NF | AP60N02DF | AP60N02D | AP5P06MSI | AP5P04MI | AP40P04NF | AP40P04DF
Popular searches
hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357


