AP85N03NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP85N03NF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP85N03NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP85N03NF даташит

 ..1. Size:2002K  cn apm
 ap85n03nf.pdf pdf_icon

AP85N03NF

AP85N03NF 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP85N03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =85 A DS D R

 8.1. Size:650K  allpower
 ap85n04k.pdf pdf_icon

AP85N03NF

 8.2. Size:575K  allpower
 ap85n04q.pdf pdf_icon

AP85N03NF

 8.3. Size:2065K  allpower
 ap85n04g.pdf pdf_icon

AP85N03NF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP10H03DF, AP10H03S, AP15P04S, AP3400MI, AP34N20P, AP50P02DF, AP70H06NF, AP80N06D, IRLB3034, AP8G04S, AP10N04S, AP15G04NF, AP220N06MP, AP2301AI, AP2302AI, AP3P06MI, AP4606B