AP85N03NF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP85N03NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP85N03NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP85N03NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP85N03NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2002K  cn apm
 ap85n03nf.pdf pdf_icon

AP85N03NF

AP85N03NF 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP85N03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =85 A DS DR

Другие MOSFET... AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D , EMB04N03H , AP8G04S , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.