AP8G04S Todos los transistores

 

AP8G04S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP8G04S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3(6.3) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.5(15.8) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2(7) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76(160) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026(0.05) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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AP8G04S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2168K  cn apm
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AP8G04S

AP8G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =8.3A DS DR

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