AP8G04S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP8G04S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3(6.3) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.2(7) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76(160) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026(0.05) Ohm

Encapsulados: SOP8

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AP8G04S datasheet

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AP8G04S

AP8G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =8.3A DS D R

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AP8G04S

AP8G06S 60V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8G06S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =8.5A DS D R

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