AP8G04S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP8G04S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP8G04S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3(6.3) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.2(7) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76(160) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026(0.05) Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP8G04S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8G04S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2168K  cn apm
 ap8g04s.pdf pdf_icon

AP8G04S

AP8G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =8.3A DS DR

Другие MOSFET... AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D , AP85N03NF , MMD60R360PRH , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.