AP8G04S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP8G04S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3(6.3) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.2(7) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76(160) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026(0.05) Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP8G04S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8G04S даташит

 ..1. Size:2168K  cn apm
 ap8g04s.pdf pdf_icon

AP8G04S

AP8G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =8.3A DS D R

 9.1. Size:2181K  cn apm
 ap8g06s.pdf pdf_icon

AP8G04S

AP8G06S 60V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8G06S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =8.5A DS D R

Другие IGBT... AP10H03S, AP15P04S, AP3400MI, AP34N20P, AP50P02DF, AP70H06NF, AP80N06D, AP85N03NF, IRF9640, AP10N04S, AP15G04NF, AP220N06MP, AP2301AI, AP2302AI, AP3P06MI, AP4606B, AP4G02LI