AP15G04NF Todos los transistores

 

AP15G04NF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP15G04NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21(18) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017(0.045) Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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AP15G04NF Datasheet (PDF)

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AP15G04NF

AP15G04NF 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15G04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =21A DS DR

Otros transistores... AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D , AP85N03NF , AP8G04S , AP10N04S , HY1906P , AP220N06MP , AP2301AI , AP2302AI , AP3P06MI , AP4606B , AP4G02LI , AP8P06S , AP90N08NF .

History: AP8G04S

 

 
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