AP15G04NF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP15G04NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP15G04NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21(18) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017(0.045) Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP15G04NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP15G04NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2122K  cn apm
 ap15g04nf.pdf pdf_icon

AP15G04NF

AP15G04NF 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15G04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =21A DS DR

Другие MOSFET... AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D , AP85N03NF , AP8G04S , AP10N04S , HY1906P , AP220N06MP , AP2301AI , AP2302AI , AP3P06MI , AP4606B , AP4G02LI , AP8P06S , AP90N08NF .

 

 
Back to Top

 


 
.