AP4G02LI Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4G02LI  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5(3.8) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42(32.2) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49(82) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(0.08) Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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AP4G02LI datasheet

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AP4G02LI

AP4G02LI 20V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4G02LI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =4.5A DS D R

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