AP4G02LI Todos los transistores

 

AP4G02LI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4G02LI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5(3.8) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42(32.2) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49(82) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(0.08) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6

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Principales características: AP4G02LI

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AP4G02LI

AP4G02LI 20V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4G02LI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =4.5A DS D R

Otros transistores... AP8G04S , AP10N04S , AP15G04NF , AP220N06MP , AP2301AI , AP2302AI , AP3P06MI , AP4606B , AO4407A , AP8P06S , AP90N08NF , AP10G04S , AP15H06S , AP4957A , AP65N06D , AP65N06DF , AP6G03S .

History: DH025N04E | DCCF160M120G1

 

 
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