AP4G02LI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP4G02LI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP4G02LI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5(3.8) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42(32.2) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49(82) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(0.08) Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для AP4G02LI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4G02LI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1763K  cn apm
 ap4g02li.pdf pdf_icon

AP4G02LI

AP4G02LI 20V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4G02LI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =4.5A DS DR

Другие MOSFET... AP8G04S , AP10N04S , AP15G04NF , AP220N06MP , AP2301AI , AP2302AI , AP3P06MI , AP4606B , BS170 , AP8P06S , AP90N08NF , AP10G04S , AP15H06S , AP4957A , AP65N06D , AP65N06DF , AP6G03S .

 

 
Back to Top

 


 
.