AP4G02LI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4G02LI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5(3.8) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42(32.2) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 49(82) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(0.08) Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4G02LI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4G02LI даташит

 ..1. Size:1763K  cn apm
 ap4g02li.pdf pdf_icon

AP4G02LI

AP4G02LI 20V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4G02LI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =4.5A DS D R

Другие IGBT... AP8G04S, AP10N04S, AP15G04NF, AP220N06MP, AP2301AI, AP2302AI, AP3P06MI, AP4606B, AO4407A, AP8P06S, AP90N08NF, AP10G04S, AP15H06S, AP4957A, AP65N06D, AP65N06DF, AP6G03S